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一种碳化硅气相外延反应系统 

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申请/专利权人:江苏汉印机电科技股份有限公司

摘要:本发明公开了一种碳化硅气相外延反应系统,涉及半导体技术领域,旨在解决现有的碳化硅气相外延装置效率较低的技术问题,包括支撑架,本发明通过在反应机构顶端设置旋风机构,在反应机构的内壁上设置气相管路,Si与C气体通过在泵入反应腔体后,等待旋风机构将其均匀混合后再通过气阻机构及升降机构使得晶圆体暴露在混合气体之中,进入外延生长状态;本发明通过驱动锁止组件带动旋转组件在固定壳上转动,旋转组件带动气阻壳实现闭合状态及展开状态,从而实现精确地控制SiC与晶圆体表面的接触面积和接触时间,从而实现对外延生长过程的精确控制,降低了外延生长过程中的失败率,提高了产品的成品率,有利于缩短外延生长的时间,提高生产效率。

主权项:1.一种碳化硅气相外延反应系统,其特征在于,包括支撑架1,所述支撑架1上设有反应机构2,所述反应机构2背面设有安装架3,所述安装架3上设有旋风机构4,所述反应机构2内部设有气相管路5,所述气相管路5上设有电磁加热圈6,所述反应机构2底端设有气阻机构7,所述气阻机构7上设有同步升降机构8,所述同步升降机构8上设有晶圆夹固机构9;所述气阻机构7包括驱动锁止组件701、固定壳702、旋转组件703及气阻壳704,所述驱动锁止组件701安装于所述反应机构2外壁上,所述固定壳702设于所述反应机构2底端,所述旋转组件703转动连接于所述固定壳702上,若干所述气阻壳704一端转动连接于所述旋转组件703上,所述气阻壳704另一端活动连接于所述固定壳702上,所述同步升降机构8连接于所述旋转组件703底端。

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权利要求:

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