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申请/专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
摘要：本发明提供一种提高IO器件良率的测试方法，提供含MOS的器件，在MOS的栅极施加由小增大的第一栅电压，变化范围为‑2V至8V；在MOS的漏端施加0.05V的第一漏端电压；在MOS的栅极重新施加由小增大的第二栅电压，变化范围为‑2V至8V；在MOS的漏端重新施加8V的第二漏端电压；在MOS的漏端重新施加由小增大的第三漏端电压，变化范围为0V至14V；检测漏端的电流值随第三漏端电压的变化，漏端电流值为第一漏电流值；在MOS的漏端重新施加由小增大的第四漏端电压，步长为0.04V，变化范围为0V至14V；检测漏端电流值随第四漏端电压的变化，漏端电流值为第二漏电流值；当第四漏端电压与第三漏端电压的变化范围为大于8V且小于12V时，第二漏电流值小于第一漏电流值。
主权项：1.一种提高IO器件良率的测试方法，其特征在于，至少包括：步骤一、提供含MOS的器件，在所述器件中MOS的栅极施加由小增大的第一栅电压，所述第一栅电压变化的步长为0.1V，所述第一栅电压的变化范围为-2V至8V；在所述器件中MOS的漏端施加0.05V的第一漏端电压；步骤二、在所述MOS的栅极重新施加由小增大的第二栅电压，所述第二栅电压变化的步长为0.1V，所述第二栅电压的变化范围为-2V至8V；在所述MOS的漏端重新施加8V的第二漏端电压；步骤三、在所述MOS的漏端重新施加由小增大的第三漏端电压，所述第三漏端电压变化的步长为0.04V，所述第三漏端电压的变化范围为0V至14V；检测所述漏端的电流值随所述第三漏端电压的变化，所述漏端的电流值为第一漏电流值；步骤四、在所述MOS的漏端重新施加由小增大的第四漏端电压，所述第四漏端电压变化的步长为0.04V，所述第四漏端电压的变化范围为0V至14V；检测所述漏端的电流值随所述第四漏端电压的变化，所述漏端的电流值为第二漏电流值；当所述第四漏端电压与第三漏端电压的变化范围为大于8V且小于12V时，所述第二漏电流值小于所述第一漏电流值。
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