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申请/专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
摘要：本申请公开芯片上钝化层裂缝的检测方法及芯片良率的确定方法，钝化层包括氮化硅层和与氮化硅层接触的氧化硅层，氧化硅层还接触芯片的金属层，检测方法包括：将芯片浸入加热的氢氧化钾溶液内，以使加热的氢氧化钾溶液在通过氮化硅层的情况下腐蚀氧化硅层而进入金属层；将芯片置于显微镜下观察金属层的颜色以确定钝化层是否有裂缝。本申请能够检测出钝化层裂缝贯穿氮化硅层但未贯穿氧化硅层的这种缺陷。
主权项：1.一种芯片上钝化层裂缝的检测方法，所述钝化层包括氮化硅层和与所述氮化硅层接触的氧化硅层，所述氧化硅层还接触所述芯片的金属层，所述检测方法包括：将所述芯片浸入氢氧化钾溶液内，以使氢氧化钾溶液在以与所述钝化层不反应的方式通过贯穿所述钝化层的裂缝的情况下进入所述金属层来腐蚀所述金属层；将所述芯片置于显微镜下观察所述金属层的颜色以确定所述钝化层是否存在贯穿所述钝化层的裂缝；将所述芯片浸入加热的氢氧化钾溶液内，以使加热的氢氧化钾溶液在通过所述氮化硅层的情况下腐蚀所述氧化硅层而进入所述金属层来腐蚀所述金属层；将所述芯片置于显微镜下观察所述金属层的颜色以确定所述钝化层是否存在裂缝。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 合肥晶合集成电路股份有限公司 芯片上钝化层裂缝的检测方法及芯片良率的确定方法
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