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申请/专利权人:苏州华太电子技术股份有限公司
摘要:本申请涉及一种金属互连结构及其制备方法和应用。本申请的金属互连结构的制备方法,包括如下步骤:提供一半导体基底,半导体基底包括依次层叠设置的衬底、阻挡层以及钨层,衬底上开设有互连孔,互连孔的径向的最窄处的宽度大于或等于1μm,阻挡层位于衬底的表面,并覆盖互连孔的孔底和孔壁,钨层位于阻挡层的表面。在互连孔中的钨层的表面形成保护层。去除位于互连孔外的钨层。去除保护层。在钨层上形成互连金属层。本申请的金属互联结构的制备方法能够降低钨回刻步骤中互连孔的孔底的钨被刻蚀的风险,进而能够降低阻挡层断裂的风险,减少铝穿刺缺陷的形成。
主权项:1.一种金属互连结构的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:提供一半导体基底,所述半导体基底包括依次层叠设置的衬底、阻挡层以及钨层,所述衬底上开设有互连孔,所述互连孔的径向的最窄处的宽度大于或等于1μm;所述阻挡层位于所述衬底的表面,并覆盖所述互连孔的孔底和孔壁,所述钨层位于所述阻挡层的表面;在所述互连孔中的所述钨层的表面形成保护层;去除位于所述互连孔外的钨层;去除所述保护层;在所述钨层上形成互连金属层。
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