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申请/专利权人：北京大学
摘要：本发明属于光通信领域，涉及一种实现高非对称辐射的光栅耦合器产品及其制备方法。该高非对称辐射的光栅耦合器包括非对称光栅结构层，所述非对称光栅结构层包含至少两个非对称光栅结构单元，每个非对称光栅结构单元包含非对称的槽型结构。所述非对称的槽型结构可以是L型、分离槽型和梯形槽型。本发明提出的基于高非对称辐射光栅结构的新型光栅耦合器不借助任何的材料和结构构造反射镜便实现了单向辐射的特性，极大降低了光端口耦合插损，简化了工艺流程，同时可利用套刻工艺实现不对称结构的制备，因此可以避免相对较复杂的倾斜刻蚀工艺，简化了工艺流程；该工艺与CMOS工艺兼容并且可以大规模集成，可在芯片上成阵列化分布。
主权项：1.一种高非对称辐射的光栅耦合器，其特征在于，包括非对称光栅结构层，所述非对称光栅结构层包含多个非对称光栅结构单元，每个非对称光栅结构单元包含非对称的槽型结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京大学 一种高非对称辐射的光栅耦合器及其制备方法
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