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申请/专利权人:中科芯磁科技(珠海)有限责任公司
摘要:本发明公开了PCIE硬核模块控制方法、PCIE硬核模块,属于芯片的技术领域,通过获取PCIE硬核模块的工作路径类型,基于所述工作路径类型确定工作模式;基于所述工作模式,确定所述PCIE硬核模块的多个背偏置电压配置位分别对应的多个目标值;基于多个目标值对多个背偏置电压配置位进行赋值,确定配置信息,其中,所述配置信息用于确定所述PCIE硬核模块中PCIE硬核专用模块、互联电路和输入输出电路的背偏置电压值;基于所述背偏置电压值对所述PCIE硬核模块进行控制;能够实现PCIE硬核模块降低功耗或者提高性能。
主权项:1.一种PCIE硬核模块控制方法,其特征在于,包括:获取PCIE硬核模块的工作路径类型,基于所述工作路径类型确定工作模式;基于所述工作模式,确定所述PCIE硬核模块的多个背偏置电压配置位分别对应的多个目标值;基于多个目标值对多个背偏置电压配置位进行赋值,确定配置信息,其中,所述配置信息用于确定所述PCIE硬核模块中PCIE硬核专用模块、互联电路和输入输出电路的背偏置电压值;基于所述背偏置电压值对所述PCIE硬核模块进行控制;其中,所述多个背偏置电压配置位预先存储在所述PCIE硬核模块中的配置单元阵列中,所述多个背偏置电压配置位包括P型晶体管配置位和N型晶体管配置位;所述P型晶体管配置位和N型晶体管配置位是通过如下方法确定:获取配置单元阵列中由字线和位线确定的全部配置位;获取PCIE硬核专用模块、互联电路和输入输出电路分别对应的已用配置位;根据所述全部配置位和所述已用配置位,确定可用配置位;根据预先获取的配置位需求,在所述可用配置位中确定所述P型晶体管配置位和所述N型晶体管配置位。
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百度查询: 中科芯磁科技(珠海)有限责任公司 PCIE硬核模块控制方法、PCIE硬核模块
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