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申请/专利权人：中山大学
摘要：本发明公开了一种垂直结构的薄膜太阳电池芯片及其制备方法和应用，属于新能源技术领域。本发明提供的垂直结构的薄膜太阳电池芯片，包括：PN结功能层；背面电极；所述背面电极设于所述PN结功能层的A表面；由焊接区和非焊接区组成；正面电极；所述正面电极设于所述PN结功能层的B表面的局部区域；正面支撑块；所述正面支撑块设于所述PN结功能层的B面，并且位于所述焊接区的投影位置；栅线；所述栅线设于所述PN结功能层B表面，所述正面电极和正面支撑块之外的区域。通过结构设计，能够有效提高薄膜太阳电池芯片的焊接良率。本发明还提供了上述垂直结构的薄膜太阳电池芯片的制备方法和应用。
主权项：1.一种垂直结构的薄膜太阳电池芯片，其特征在于，所述薄膜太阳电池芯片包括：PN结功能层；背面电极，所述背面电极设于所述PN结功能层的背面，并且由焊接区和非焊接区组成；正面电极，所述正面电极设于所述PN结功能层的正面受光面的局部区域；正面支撑块，所述正面支撑块设于所述PN结功能层的正面受光面，并且位于所述焊接区的投影位置；所述正面支撑块的材质包括SiO2和透明聚合物薄膜中的至少一种；栅线，所述栅线设于所述PN结功能层的正面受光面，并且位于所述正面电极和正面支撑块之外的区域；所述薄膜太阳电池芯片的厚度为50~80μm。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中山大学 一种垂直结构的薄膜太阳电池芯片及其制备方法和应用
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