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申请/专利权人：西安唐晶量子科技有限公司
申请日：2022-04-28
公开（公告）日：2022-08-05
公开（公告）号：CN114859200A
主分类号：G01R31/26
分类号：G01R31/26
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2022.08.23#实质审查的生效;2022.08.05#公开
摘要：本发明公开了一种评估InGaPGaAsHBT外延片基极层材料特性的方法，该方法包括：提供一InGaPGaAsHBT外延片，外延片包括了砷化镓衬底，砷化镓衬底上表面的n型子集电层，n型子集电层表面生长的n型集电层，n型集电层表面生长的p型GaAs基极层，p型GaAs基极层表面生长的n型发射极InGaP层，n型发射极InGaP层表面生长的发射极帽层，将该结构的HBT外延片切片为接近正方形的样品，去掉发射极帽层，并湿法腐蚀至基极层，在基极层表面4个角处形成欧姆接触点，利用霍尔测试仪可评价其载流子浓度，方块电阻及迁移率等信息，本方法对极层材料特性的评估快速且有效。
主权项：1.一种评估InGaPGaAsHBT外延片基极层材料特性的方法，包括：提供一外延片，该外延片包括砷化镓衬底101，生长于砷化镓衬底101表面的子集电层102，子集电层102的掺杂类型为n型，生长于子集电层102表面的集电层103，集电层103的掺杂类型为n型，生长于集电层103表面的基极层104，基极层104为GaAs材料，掺杂类型为p型，生长于基极层104表面的发射极层105，发射极层105为InGaP材料，掺杂类型为n型，生长于发射极105表面的发射极帽层106。步骤一：将外延片待测区域切为长宽比介于0.9至1.1的矩形样品。步骤二：去除待测区域表面的帽层106，露出106下层的发射极层105。步骤三：将样品用腐蚀液腐蚀完InGaP层，露出基极层104。步骤四：在露出的基极层104表面四个角形成点状金属做欧姆接触点。步骤五：利用霍尔测试仪，测试得到基极层104的方块电阻、载流子浓度和载流子迁移率等信息。其中，步骤一、步骤二、步骤三的先后次序还可以是步骤二、步骤三、步骤一，也可以是步骤二、步骤一、步骤三。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安唐晶量子科技有限公司 一种评估InGaP/GaAsHBT外延片基极层材料特性的方法
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