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申请/专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日：2023-03-14
公开（公告）日：2023-05-16
公开（公告）号：CN116130420A
主分类号：H01L21/8238
分类号：H01L21/8238
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2023.06.02#实质审查的生效;2023.05.16#公开
摘要：本发明提供一种降低HKMG器件功函数层损伤的方法，所述方法包括：步骤1提供一半导体结构，包括衬底及形成于所述衬底上的多个半导体器件的栅极结构，所述栅极结构包括栅介质层、功函数层及金属栅的层叠结构，其中，所述功函数层形成于所述栅介质层与所述金属栅之间，并呈U型位于所述金属栅的侧壁及底部；步骤2于所述功函数层及所述金属栅的表面选择性生长金属阻挡层；步骤3于步骤2所形成结构的表面形成介质层；步骤4图案化刻蚀所述介质层以于所述金属栅的上方形成接触孔。通过本发明解决了现有的HKMG器件形成接触孔的过程中损伤功函数层使得阈值电压漂移的问题。
主权项：1.一种降低HKMG器件功函数层损伤的方法，其特征在于，所述方法包括：步骤1提供一半导体结构，包括衬底及形成于所述衬底上的多个半导体器件的栅极结构，所述栅极结构包括栅介质层、功函数层及金属栅的层叠结构，其中，所述功函数层形成于所述栅介质层与所述金属栅之间，并呈U型位于所述金属栅的侧壁及底部；步骤2于所述功函数层及所述金属栅的表面选择性生长金属阻挡层；步骤3于步骤2所形成结构的表面形成介质层；步骤4图案化刻蚀所述介质层以于所述金属栅的上方形成接触孔；其中，所述半导体器件包括PMOS管及NMOS管，且所述PMOS管与所述NMOS管具有相同的栅极结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华力集成电路制造有限公司 降低HKMG器件功函数层损伤的方法
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