申请/专利权人:长春理工大学
申请日:2023-09-27
公开(公告)日:2024-01-16
公开(公告)号:CN117403327A
主分类号:C30B29/40
分类号:C30B29/40;H01S5/32;C30B25/18
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2024.02.02#实质审查的生效;2024.01.16#公开
摘要:本申请涉及半导体材料技术领域,更具体地说,它涉及一种调控InGaP有序度的生长方法,所述方法通过掺杂Zn来调控InGaP的有序度,生长结构依次层叠为衬底,GaAs为缓冲层,低温550℃条件下InGaP为缓冲层,InGaP为掺杂层。通过改变Zn的流量,实现InGaP有序度的优化,可以有效的提高光电器件的效率和性能。
主权项:1.一种调控InGaP有序度的生长方法,其特征在于,所述方法通过掺杂Zn来调控InGaP的有序度,生长结构依次层叠为衬底,GaAs为缓冲层,低温550℃条件下InGaP为缓冲层,InGaP掺为杂层。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 长春理工大学 一种调控InGaP有序度的生长方法
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