申请/专利权人：中锗科技有限公司

申请日：2020-06-23

公开（公告）日：2022-04-12

公开（公告）号：CN111710744B

主分类号：H01L31/0687(20120101)

分类号：H01L31/0687(20120101);H01L31/0693(20120101);B82Y20/00(20110101);H01L31/0236(20060101);H01L31/0304(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.04.12#授权;2020.10.27#实质审查的生效;2020.09.25#公开

摘要：本发明公开了一种GaAsInGaP双结表面等离子体增强太阳能结构，包括从下到上依次相接的下电极、第一子电池、透明导电层、第二子电池和上电极；第一子电池为GaAs电池，包括从下到上依次相接的第一背场层、第一基层、第一发射层和第一窗口层；第二子电池为InGaP电池，包括从下到上依次相接的第二背场层、第二基层、第二发射层、第二窗口层和接触层；第一、第二背场层的下表面均具有金属纳米颗粒；接触层上表面上电极之外的部分覆盖有减反射膜层。上述结构包括两个子电池，并在两个电池的背电场中分别制作纳米金属颗粒，利用纳米金属颗粒表面等离子体共振所产生的表面局域增强效应，增加各子电池对相应波段的吸收利用；同时还可增加底电池吸收的光程，提高太阳能转换效率。

主权项：1.一种GaAsInGaP双结表面等离子体增强太阳能结构，其特征在于：包括从下到上依次相接的下电极、第一子电池、透明导电层、第二子电池和上电极；第一子电池为GaAs电池，GaAs电池包括从下到上依次相接的第一背场层、第一基层、第一发射层和第一窗口层，第一背场层的下表面分布有金属纳米颗粒；第二子电池为InGaP电池，第二子电池包括从下到上依次相接的第二背场层、第二基层、第二发射层、第二窗口层和接触层，第二背场层的下表面分布有金属纳米颗粒；接触层上表面上电极之外的部分覆盖有减反射膜层；第一背场层下表面和第二背场层下表面的金属纳米颗粒所用材料均为Au，形状均为四面体形；第一背场层下表面的金属纳米颗粒的尺寸为50-100nm；第二背场层下表面的金属纳米颗粒的尺寸为10-50nm；第一背场层下表面相邻金属纳米颗粒之间的中心间距为100-500nm，第二背场层下表面相邻金属纳米颗粒之间的中心间距为20-500nm；第一背场层为AlxGa1-xAs或者AlyGa1-yzIn1-zP，其中，x取值范围为0-0.5，y取值范围为0-0.5，z取值范围为0.4-0.6，第一背场层的厚度范围为50-200nm；第二背场层为AlyGa1-yzIn1-zP，其中，y取值范围为0-0.5，z取值范围为0.4-0.6，第二背场层的厚度范围为30-200nm。

全文数据：

权利要求：

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