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申请/专利权人：株式会社迪思科
申请日：2018-04-26
公开（公告）日：2024-02-20
公开（公告）号：CN108878255B
主分类号：H01L21/02
分类号：H01L21/02
优先权：["20170508 JP 2017-092456"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.02.20#授权;2020.05.01#实质审查的生效;2018.11.23#公开
摘要：提供去疵层形成方法，能够形成不使抗折强度降低的去疵层。一种去疵层形成方法，在晶片的背面上形成去疵层，该晶片在正面上形成有器件，其中，该去疵层形成方法包含如下的步骤：涂布步骤，将金属盐的溶液涂布在晶片的背面上；以及干燥步骤，在实施了涂布步骤之后，使晶片干燥而在背面上形成去疵层。
主权项：1.一种去疵层形成方法，在晶片的背面上形成去疵层，该晶片在正面上形成有器件，其特征在于，该去疵层形成方法具有如下的步骤：磨削步骤，对该晶片的该背面进行磨削；研磨步骤，在实施了该磨削步骤之后，对该晶片的该背面进行研磨而将在该磨削步骤中形成于该背面的具有去疵功能的损伤及应变去除；涂布步骤，在实施了该研磨步骤之后，将金属盐的溶液涂布在已经去除了该具有去疵功能的损伤及应变的该晶片的该背面上；以及干燥步骤，在实施了该涂布步骤之后，使该晶片干燥而在该背面上形成去疵层。
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