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申请/专利权人：北京理工大学
申请日：2024-02-02
公开（公告）日：2024-05-10
公开（公告）号：CN118019390A
主分类号：H10K59/122
分类号：H10K59/122;H10K59/124;H10K59/35
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.05.28#实质审查的生效;2024.05.10#公开
摘要：本公开涉及一种全彩QLED器件及其制备方法。所述器件包括：基板；像素隔离单元bank，像素隔离单元bank在基板上阵列分布；全彩QD阵列，全彩QD阵列中的任一个QD功能单元设置于像素隔离单元bank内；光刻胶保护层，光刻胶保护层设置于全彩QD阵列的上方；透明电极，透明电极设置于光刻胶保护层的上方，其中QD功能单元通过逐次光刻清洗的方式填充在像素隔离单元bank内。本发明通过在像素隔离单元bank内的全彩QD阵列上，利用多次光刻辅助的方式制备光刻胶保护层，对全彩QD阵列进行保护，实现了高像素密度的全彩QLED器件，并减少了电子的注入，有利于达到电子空穴注入平衡，提高了全彩QLED器件性能。
主权项：1.一种全彩QLED器件，包括：基板；像素隔离单元bank，所述像素隔离单元bank在所述基板上阵列分布；全彩QD阵列，所述全彩QD阵列中的任一个QD功能单元设置于所述像素隔离单元bank内；光刻胶保护层，所述光刻胶保护层设置于所述全彩QD阵列的上方；透明电极，所述透明电极设置于所述光刻胶保护层的上方，其中，所述全彩QD阵列中的QD功能单元通过逐次光刻清洗的方式填充在所述像素隔离单元bank内。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京理工大学 全彩QLED器件及其制备方法
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