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申请/专利权人：晶成半导体股份有限公司
申请日：2023-08-29
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN118053957A
主分类号：H01L33/20
分类号：H01L33/20;H01L33/24;H01L33/38
优先权：["20221117 TW 111143967"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.05.17#公开
摘要：本发明提供一种光电半导体元件，包括：半导体叠层，包括第一部分及第二部分依序堆叠，第二部分包含活性层；以及第一金属层，位于第一部分上，且与第一部分电连接，其中第一部分的俯视轮廓呈第一图形，第二部分的俯视轮廓呈第二图形，第一金属层的俯视轮廓呈第三图形，且第三图形与第一图形的面积比值范围介于0.5％～10％。
主权项：1.一种光电半导体元件，包括：半导体叠层，包括第一部分及第二部分依序堆叠，该第二部分包含活性层；以及第一金属层，位于该第一部分上，且与该第一部分电连接；其中该第一部分的俯视轮廓呈第一图形，该第二部分的俯视轮廓呈第二图形，该第一金属层的俯视轮廓呈第三图形，且该第三图形与该第一图形的面积比值范围介于0.5％～10％。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 晶成半导体股份有限公司 光电半导体元件
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皖公网安备 34010402703815号