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申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日：2021-03-26
公开（公告）日：2024-06-07
公开（公告）号：CN115132728B
主分类号：H10B12/00
分类号：H10B12/00
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.07#授权;2022.10.25#实质审查的生效;2022.09.30#公开
摘要：本发明实施例属于半导体制造技术领域，涉及一种半导体结构及半导体结构制作方法，用于解决电容结构的电荷存储能力不足的问题。该半导体结构中的存储结构包括沿垂直于基底方向堆叠设置的多个电容结构，电容结构包括相对设置的下极板和上极板、以及位于下极板和上极板之间的第一介电层，下极板和上极板均与基底平行，并且存储结构中各下极板电连接，存储结构中各上极板电连接；下极板和上极板在平行于基底的平面内延伸，半导体结构高度的降低并不会对下极板和上极板面积造成影响，与管状的电容结构相比，提高了电容结构的电容值，进而提高了半导体结构的电荷存储能力。
主权项：1.一种半导体结构制作方法，其特征在于，制作基底；在所述基底上形成层叠设置的多个重复膜层，所述重复膜层包括依次层叠设置的第一导电层、第一介质层、第二导电层以及第二介质层；沿垂直于所述基底的方向蚀刻各所述重复膜层，以在所述基底上形成多个间隔设置的存储结构；在位于所述第一介质层和所述第二介质层之间的所述第二导电层侧壁上形成第二绝缘块；在所述存储结构上形成导电膜，所述导电膜包裹在所述存储结构外侧，所述导电膜与各所述第一导电层接合；去除部分所述导电膜，以在所述导电膜上形成向所述基底延伸的连接口；在所述导电膜上形成覆盖所述导电膜的绝缘膜；在所述连接口对应的所述第一导电层上形成第一绝缘块；去除所述连接口对应的所述第二绝缘块，在相邻的所述存储结构之间填充导电填充物，所述导电填充物与所述连接口对应的所述第二导电层接合。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长鑫存储技术有限公司 半导体结构及半导体结构制作方法
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