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申请/专利权人：海信家电集团股份有限公司
申请日：2024-01-30
公开（公告）日：2024-06-07
公开（公告）号：CN118156129A
主分类号：H01L21/331
分类号：H01L21/331;H01L29/739;H01L29/10
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.07#公开
摘要：本发明公开了一种半导体装置的制造方法和半导体装置，半导体装置的制造方法包括：制备第一导电类型的衬底；在第一导电类型的衬底上设置栅极沟槽，其中，栅极沟槽从第一主面在第一方向朝向靠近第二主面的一侧延伸设置；在衬底中设置第一导电类型的载流子积蓄层和第二导电类型的基极层，栅极沟槽贯穿基极层和载流子积蓄层，基极层第一方向上的深度为H1，H1满足关系式：H1＞1um。由此，通过在衬底中设置载流子积蓄层，并且保证基极层第一方向上的深度超过1um，从而不仅可以低半导体装置的导通压降和导通损耗，而且还可以保证半导体装置的开关性能。
主权项：1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：制备第一导电类型的衬底1，其中，所述衬底1具有第一主面101及与第一主面101相反侧的第二主面102，所述第一主面101和所述第二主面102在第一方向上间隔设置；在第一导电类型的衬底1上设置栅极沟槽103，其中，所述栅极沟槽103从所述第一主面101在第一方向朝向靠近所述第二主面102的一侧延伸设置；在所述衬底1中设置第一导电类型的载流子积蓄层2和第二导电类型的基极层3，其中，相较于所述载流子积蓄层2，所述基极层3更加靠近所述第一主面101，所述栅极沟槽103贯穿所述基极层3和所述载流子积蓄层2，所述基极层3第一方向上的深度为H1，H1满足关系式：H1＞1um。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 海信家电集团股份有限公司 半导体装置的制造方法和半导体装置
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