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申请/专利权人：物元半导体技术(青岛)有限公司
申请日：2024-03-15
公开（公告）日：2024-06-07
公开（公告）号：CN118156221A
主分类号：H01L21/768
分类号：H01L21/768;H01L21/265;H01L21/302
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.07#公开
摘要：本申请属于半导体制造技术领域，尤其涉及一种半导体制造方法及半导体结构，其中，半导体制造方法至少包括以下步骤：提供一半导体衬底；向半导体衬底执行离子注入工艺，且不同深度处注入的离子的剂量不同，形成由半导体衬底的表面向内部的不同离子掺杂浓度；对半导体衬底执行刻蚀工艺，不同深度处的刻蚀速率根据离子掺杂浓度的不同而不同；刻蚀后在半导体衬底中形成所需轮廓的沟槽。通过该半导体制造方法，可以简单有效地对沟槽轮廓进行调整和控制，得到更有利于填充的形状轮廓，大幅改善金属填充的质量。
主权项：1.一种半导体制造方法，其特征在于，至少包括以下步骤：提供一半导体衬底；向所述半导体衬底执行离子注入工艺，且不同深度处注入的离子的剂量不同，形成由所述半导体衬底的表面向内部的不同离子掺杂浓度；对所述半导体衬底执行刻蚀工艺，不同深度处的刻蚀速率根据离子掺杂浓度的不同而不同；刻蚀后在所述半导体衬底中形成所需轮廓的沟槽。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 物元半导体技术(青岛)有限公司 半导体制造方法及半导体结构
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