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申请/专利权人：长鑫科技集团股份有限公司
申请日：2024-04-01
公开（公告）日：2024-06-07
公开（公告）号：CN118159023A
主分类号：H10B12/00
分类号：H10B12/00
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.07#公开
摘要：本公开提供了半导体结构、半导体器件及半导体结构的制备方法，涉及半导体技术领域。该半导体结构包括：衬底，衬底内形成有沿第一方向、第二方向间隔排布的多个有源柱，多个有源柱均沿第三方向延伸；第一方向与第二方向相交，且均垂直于第三方向；电容接触结构，电容接触结构覆盖有源柱的顶面，用以连接电容结构；电容接触结构的顶面为非平面，且电容接触结构在垂直于第三方向的平面上的投影面积大于有源柱在垂直于第三方向的平面上的投影面积。根据本公开实施例，能够提高半导体结构的电性能。
主权项：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底，所述衬底内形成有沿第一方向、第二方向间隔排布的多个有源柱，所述多个有源柱均沿第三方向延伸；所述第一方向与所述第二方向相交，且均垂直于所述第三方向；电容接触结构，所述电容接触结构覆盖所述有源柱的顶面，用以连接电容结构；其中，所述电容接触结构的顶面为非平面，且所述电容接触结构在垂直于所述第三方向的平面上的投影面积大于所述有源柱在垂直于所述第三方向的平面上的投影面积。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长鑫科技集团股份有限公司 半导体结构、半导体器件及半导体结构的制备方法
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