申请/专利权人：苏州敏芯微电子技术股份有限公司

申请日：2024-03-07

公开（公告）日：2024-05-24

公开（公告）号：CN117842926B

主分类号：B81B7/02

分类号：B81B7/02;B81B7/00;B81C99/00;G01L13/06;G01L27/00

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.05.24#授权;2024.04.26#实质审查的生效;2024.04.09#公开

摘要：本发明提供了一种微差压传感器、封装结构、测试方法及电子设备，其中，所述微差压传感器包括MEMS芯片，MEMS芯片包括以层叠方式设置的基底、振膜以及背极板，背极板包括相互隔离的第一电极区域和第二电极区域，第一电极区域构成第一电极，第二电极区域构成第二电极，振膜构成第三电极，第一电极与第三电极构成第一电容，第二电极与第三电极构成第二电容；通过第一电连接端向第一电极施加电压激励信号或者高电压信号等方式，驱使振膜产生形变，以改变振膜和背极板之间的间距，来模仿加气流检测；然后通过第三电连接端输出感测到的所述第二电容的变化量，以根据第一预设阈值确定MEMS芯片是否处于劣化状态。

主权项：1.一种微差压传感器，其特征在于，所述微差压传感器包括MEMS芯片（40），所述MEMS芯片（40）包括以层叠方式设置的基底（430）、振膜（410）以及背极板（420），所述基底（430）具有在其厚度方向上贯通的背腔（431），所述背极板（420）包括相互隔离的第一电极区域（421）和第二电极区域（422），所述第一电极区域（421）构成第一电极，所述第二电极区域（422）构成第二电极，所述振膜（410）构成第三电极，所述第一电极与所述第三电极构成第一电容，所述第二电极与所述第三电极构成第二电容；所述MEMS芯片（40）包括第一电连接端（401）、第二电连接端（402）和第三电连接端（403）；其中，所述第一电连接端（401）与所述第一电极电连接，所述第一电连接端（401）被配置为提供电压激励信号或者高电压信号，用于驱使所述振膜产生形变，以改变所述振膜和所述背极板之间的间距；所述第二电连接端（402）与所述第二电极电连接，所述第二电连接端（402）被配置为提供接地信号；所述第三电连接端（403）与所述第三电极电连接，所述第三电连接端（403）作为所述MEMS芯片的信号输出端，输出所述第二电容的变化量，以根据第一预设阈值确定所述MEMS芯片（40）是否处于劣化状态。

全文数据：

权利要求：

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