申请/专利权人：奥比中光科技集团股份有限公司

申请日：2022-06-24

公开（公告）日：2024-05-31

公开（公告）号：CN115016051B

主分类号：G02B5/02

分类号：G02B5/02;G02B27/00

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.05.31#授权;2022.09.30#实质审查的生效;2022.09.06#公开

摘要：本申请涉及光学设计技术领域，尤其涉及一种漫射体及其设计方法。漫射体包括阵列排列的多个漫射单元，所述漫射单元用于控制入射光场经所述漫射体后的出射光场的分布；其中，所述漫射单元包括像侧面，所述像侧面配置为沿第一方向拼接的凸面面型和凹面面型，以使得所述出射光场为非对称分布，所述像侧面沿所述第一方向的两端高度一致，所述第一方向为非对称分布的所述出射光场的非对称方向。本申请实施例能够在降低漫射体加工难度的基础上，实现非对称的出射光场。

主权项：1.一种漫射体，其特征在于，包括：阵列排列的多个漫射单元；所述漫射单元用于控制入射光场经所述漫射体后的出射光场的分布；其中，所述漫射单元包括像侧面，所述像侧面配置为沿第一方向拼接的凸面面型和凹面面型，以使得所述出射光场为非对称分布；所述像侧面沿所述第一方向的两端高度一致；所述第一方向为非对称分布的所述出射光场的非对称方向；所述漫射单元的第一像侧面为待设计的自由曲面；一种漫射体的设计方法包括：获取入射光场和非对称的目标出射光场；根据所述入射光场和所述目标出射光场，分别获取所述漫射单元的第一像侧面为凹面或凸面时对应的面型参数；根据所述目标出射光场的强度分布对应关系，将具备对应所述面型参数的所述凸面和所述凹面进行拼接以形成第二像侧面；当阵列拼接多个所述第二像侧面以形成漫射体时，相邻所述第二像侧面的边界处存在拼接断点时，裁剪相邻所述第二像侧面以使得边界处连续拼接，形成连续的面型结构；对所述面型结构的第一面型参数进行验证，判断实际出射光场是否符合所述目标出射光场；当阵列拼接多个所述第二像侧面以形成漫射体时，相邻所述第二像侧面的边界处不存在拼接断点时，则多个所述第二像侧面拼接形成连续的面型结构；对所述面型结构的第一面型参数进行验证，判断实际出射光场是否符合所述目标出射光场；所述判断实际出射光场是否符合所述目标出射光场，包括：若判定实际出射光场不符合所述目标出射光场，则根据所述实际出射光场对所述面型结构的第一面型参数进行修正；若判定实际出射光场符合所述目标出射光场，则结束；根据所述实际出射光场对所述面型结构的第一面型参数进行修正，包括：确定所述实际出射光场任一像素点的实际光强为A，所述目标出射光场对应像素的目标光强为Atarget，根据所述实际光强A和所述目标光强Atarget修改对应像素的目标光强为根据所述入射光场和修改后的目标出射光场，计算所述漫射单元的像侧面的第二面型参数，利用所述第二面型参数对该漫射单元的所述面型结构进行调整以得到修改后的面型结构；所述裁剪相邻所述第二像侧面以使得边界处连续拼接，形成连续的面型结构，包括：沿着垂直于拼接缝的方向，从所述第二像侧面非对称方向的左右两端同时进行裁剪，以使得左右两端的高度基本一致；利用裁剪后的所述第二像侧面进行阵列拼接，形成连续的面型结构。

全文数据：

权利要求：

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