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申请/专利权人：电投传古太阳能科技(无锡)有限公司;无锡广传绿能科技有限公司
申请日：2024-03-07
公开（公告）日：2024-06-04
公开（公告）号：CN118136699A
主分类号：H01L31/0216
分类号：H01L31/0216;H01L31/18;C23C16/40;C23C16/455
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.21#实质审查的生效;2024.06.04#公开
摘要：本发明公开了一种钝化膜沉积的HJT电池及其制备方法，属于新能源光伏晶硅电池技术领域。S1、清洗制绒：选取硅片，清洗后制绒，使硅片的正背面形成绒面层；S2、非晶硅镀膜：在硅片正面依次镀本征非晶硅薄膜和n型掺杂微晶硅薄膜，背面依次镀本征非晶硅薄膜和p型掺杂微晶硅薄膜；S3、选择钝化层沉积：采用ALD低温沉积技术在硅片正面沉积二氧化硅钝化薄膜；S4、TCO沉积：在硅片的正背面均沉积TCO膜；S5、金属化：利用丝网印刷技术或电镀技术进行金属化，制备金属栅线电极，得到HJT电池。本发明采用低温工艺的ALD技术在正面掺杂层微晶上生长一层氧化硅缓冲钝化膜，解决了TCO沉积过程对非微晶层的影响，提高了电池的转换效率。
主权项：1.一种钝化膜沉积的HJT电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、清洗制绒：选取硅片，清洗后制绒，使硅片的正背面形成绒面层；S2、非晶硅镀膜：在硅片正面依次镀本征非晶硅薄膜和n型掺杂微晶硅薄膜，背面依次镀本征非晶硅薄膜和p型掺杂微晶硅薄膜；S3、选择钝化层沉积：采用ALD低温沉积技术在硅片正面沉积二氧化硅钝化薄膜；S4、TCO沉积：在硅片的正背面均沉积TCO膜；S5、金属化：利用丝网印刷技术或电镀技术进行金属化，制备金属栅线电极，得到HJT电池。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 电投传古太阳能科技(无锡)有限公司;无锡广传绿能科技有限公司 一种钝化膜沉积的HJT电池及其制备方法
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