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申请/专利权人：北京交通大学
申请日：2024-03-12
公开（公告）日：2024-06-07
公开（公告）号：CN118159053A
主分类号：H10K50/115
分类号：H10K50/115;H10K50/15;H10K71/00;H10K101/40
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.25#实质审查的生效;2024.06.07#公开
摘要：本发明提供了一种基于新型高效空穴产生结构的场致发光QLED器件及其制备方法，属于显示照明技术领域，旨在提高场致发光QLED器件的发光性能，所述场致发光QLED器件包括：透明基底，以及依次位于所述透明基底一侧表面的第一绝缘层、空穴产生层、空穴传输层、量子点发光层、电子产生层、第二绝缘层以及金属电极；其中，所述空穴传输层包括磷光发光材料和空穴传输材料，所述量子点发光层包括量子点材料，所述磷光发光材料在所述空穴传输材料中的掺杂浓度为1％‑20％，所述磷光发光材料的HOMO能级位于所述空穴传输材料的HOMO能级与所述量子点发光层的量子点材料的HOMO能级之间。
主权项：1.一种基于新型高效空穴产生结构的场致发光QLED器件，其特征在于，包括：透明基底，以及依次位于所述透明基底一侧表面的第一绝缘层、空穴产生层、空穴传输层、量子点发光层、电子产生层、第二绝缘层以及金属电极；其中，所述空穴传输层包括磷光发光材料和空穴传输材料，所述量子点发光层包括量子点材料，所述磷光发光材料在所述空穴传输材料中的掺杂浓度为1％-20％，所述磷光发光材料的HOMO能级位于所述空穴传输材料的HOMO能级与所述量子点发光层的量子点材料的HOMO能级之间。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京交通大学 一种基于新型高效空穴产生结构的场致发光QLED器件及其制备方法
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