申请/专利权人：北京京东方技术开发有限公司;京东方科技集团股份有限公司

申请日：2021-09-22

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN113903874B

主分类号：H10K71/00

分类号：H10K71/00;H10K50/115;H10K50/125;H10K59/12;H10K71/20

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.26#授权;2022.01.25#实质审查的生效;2022.01.07#公开

摘要：本发明提出了制备QLED器件的方法，QLED器件和显示装置，包括：提供基板，在基板一侧形成图案化层，在图案化层远离基板的一侧形成发光层，自发光层远离图案化层的一侧，对基板上的预设区域进行光照处理，令预设区域内的图案化层的溶解性发生改变，去除基板上非预设区域或预设区域内的图案化层和发光层，以获得QLED器件，其中，形成图案化层的材料为小分子交联材料或聚合物分解材料。由此，通过一种较为简便的方法制备高分辨率的QLED器件。

主权项：1.一种制备QLED器件的方法，其特征在于，形成所述QLED器件的步骤包括形成第一颜色QLED器件、第二颜色QLED器件、第三颜色QLED器件的步骤，所述方法包括：提供基板，在所述基板一侧形成第一图案化层，在所述第一图案化层远离所述基板的一侧形成第一颜色发光层，自所述第一颜色发光层远离所述第一图案化层的一侧，对所述基板上的第一预设区域进行光照处理，令所述第一预设区域内的所述第一图案化层的溶解性发生改变，去除所述基板上第一非预设区域内的所述第一图案化层和所述第一颜色发光层，以获得所述第一颜色QLED器件；在所述基板一侧形成第二图案化层，所述第二图案化层覆盖所述第一颜色QLED器件和所述第一非预设区域，在第二图案化层远离所述基板的一侧形成第二颜色发光层，自所述第二颜色发光层远离所述第二图案化层的一侧，对所述基板上的第二预设区域进行光照处理，令所述第二预设区域内的所述第二图案化层的溶解性发生改变，去除所述基板上第二非预设区域内的所述第二图案化层和所述第二颜色发光层，以获得所述第二颜色QLED器件；在所述基板一侧形成第三图案化层，所述第三图案化层覆盖所述第一颜色QLED器件、和所述第一非预设区域，在第三图案化层远离所述基板的一侧形成第三颜色发光层，自所述第三颜色发光层远离所述第三图案化层的一侧，对所述基板上的第三预设区域进行光照处理，令所述第三预设区域内的所述第三图案化层的溶解性发生改变，去除所述基板上第三非预设区域内的所述第三图案化层和所述第三颜色发光层，以获得所述第三颜色QLED器件；其中，所述第一颜色QLED器件在所述基板上的正投影、所述第二颜色QLED器件在所述基板上的正投影和所述第三颜色QLED器件在所述基板上的正投影没有重叠区域，且形成所述第一图案化层、所述第二图案化层和所述第三图案化层的材料均为小分子交联材料，或者，形成所述QLED器件的步骤包括形成第四颜色QLED器件、第五颜色QLED器件、第六颜色QLED器件的步骤，所述方法包括：提供基板，在所述基板一侧形成第四图案化层，在所述第四图案化层远离所述基板的一侧形成第四颜色发光层，自所述第四颜色发光层远离所述第四图案化层的一侧，对所述基板上的第四预设区域进行光照处理，令所述第四预设区域内的所述第四图案化层的溶解性发生改变，去除所述基板上所述第四预设区域内的所述第四图案化层和所述第四颜色发光层，以获得所述第四颜色QLED器件；在所述基板一侧形成第五图案化层，所述第五图案化层覆盖所述第四颜色QLED器件和所述第四预设区域，在第五图案化层远离所述基板的一侧形成第五颜色发光层，自所述第五颜色发光层远离所述第五图案化层的一侧，对所述基板上的第五预设区域进行光照处理，令所述第五预设区域内的所述第五图案化层的溶解性发生改变，去除所述基板上所述第五预设区域内的所述第五图案化层和所述第五颜色发光层，以获得所述第五颜色QLED器件；在所述基板一侧形成第六图案化层，所述第六图案化层覆盖所述第四颜色QLED器件、和所述第四预设区域，在第六图案化层远离所述基板的一侧形成第六颜色发光层，自所述第六颜色发光层远离所述第六图案化层的一侧，对所述基板上的第六预设区域进行光照处理，令所述第六预设区域内的所述第六图案化层的溶解性发生改变，去除所述基板上所述第六预设区域内的所述第六图案化层和所述第六颜色发光层，以获得所述第六颜色QLED器件；其中，所述第四颜色QLED器件在所述基板上的正投影、所述第五颜色QLED器件在所述基板上的正投影和所述第六颜色QLED器件在所述基板上的正投影没有重叠区域，且形成所述第四图案化层、所述第五图案化层和所述第六图案化层的材料均为聚合物分解材料。

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