申请/专利权人:北京交通大学
申请日:2024-03-12
公开(公告)日:2024-06-11
公开(公告)号:CN118175863A
主分类号:H10K50/115
分类号:H10K50/115;H10K71/00;G01R29/08
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2024.06.28#实质审查的生效;2024.06.11#公开
摘要:本发明提供了一种新型场致发光QLED器件及其制备方法和应用,属于电场监测技术领域,所述器件包括透明基底、以及依次位于所述透明基底的一侧的空穴产生层、量子点薄膜体以及电子产生层;其中,所述新型场致发光QLED器件感应外界交流电场发光;由此,本发明提供一种新型场致发光QLED器件作为电场探测装置,由于其体积较小、探测范围较广,能够提高电场探测的便利性,在工程应用上具有重要意义。
主权项:1.一种新型场致发光QLED器件,其特征在于,包括:透明基底、以及依次位于所述透明基底的一侧的空穴产生层、量子点薄膜体以及电子产生层;其中,所述新型场致发光QLED器件感应外界交流电场发光。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 北京交通大学 一种新型场致发光QLED器件及其制备方法和应用
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