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申请/专利权人：珠海格力电器股份有限公司;珠海零边界集成电路有限公司
申请日：2021-07-26
公开（公告）日：2024-06-07
公开（公告）号：CN113644114B
主分类号：H01L29/06
分类号：H01L29/06;H01L29/739;H01L21/331
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.07#授权;2021.11.30#实质审查的生效;2021.11.12#公开
摘要：本申请涉及芯片制备的技术领域，本申请公开一种芯片、芯片制备方法及电子器件。其中芯片，包括衬底层、埋氧层以及N型漂移层，N型漂移层包括接近于所述衬底层的第一侧以及远离所述衬底层的第二侧，所述第二侧形成有第一阳极区以及第二阳极区，在第一阳极区以及第二阳极区之间形成有介电区，所述介电区包括密集分布的形成于所述N型漂移层的点缺陷，所述芯片为RC‑LIGBT芯片，所述芯片为RC‑LIGBT芯片，所述第一阳极区为P+阳极区，所述第二阳极区为N+阳极区。与现有技术相比，通过在介电区内形成点缺陷提高介电区内的电阻，进而抑制第一阳极区与第二阳极区之间电子的移动，进而减弱芯片的电压折回现象，提高芯片整体的稳定性。
主权项：1.一种芯片，其特征在于，包括衬底层、埋氧层以及N型漂移层，N型漂移层包括接近于所述衬底层的第一侧以及远离所述衬底层的第二侧，所述第二侧形成有第一阳极区以及第二阳极区，在第一阳极区以及第二阳极区之间形成有介电区，所述介电区包括密集分布的形成于所述N型漂移层的点缺陷，其中，所述芯片为RC-LIGBT芯片，所述第一阳极区为P+阳极区，所述第二阳极区为N+阳极区。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 珠海格力电器股份有限公司;珠海零边界集成电路有限公司 芯片、芯片制备方法及电子器件
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