申请/专利权人：SK恩普士有限公司

申请日：2022-03-10

公开（公告）日：2024-06-07

公开（公告）号：CN115070608B

主分类号：B24B37/24

分类号：B24B37/24;B24B37/26;B24D11/00;B24B37/10;H01L21/304

优先权：["20210312 KR 10-2021-0032904"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.06.07#授权;2023.06.27#著录事项变更;2022.10.11#实质审查的生效;2022.09.20#公开

摘要：本发明涉及一种抛光垫、抛光垫的制备方法以及半导体器件的制造方法，所述抛光垫的抛光层内的无机成分的含量范围被限制，从而能够防止在抛光工艺中由抛光层中的无机成分导致的缺陷。另外，在制备抛光层时，未膨胀的固体发泡剂包含于抛光组合物中，在固化工艺中，所述固体发泡剂膨胀从而在抛光层中生成多个均匀的气孔，并且抛光层中的无机成分的含量范围被限制，因此能够防止在抛光工艺中发生缺陷。

主权项：1.一种抛光垫，其中，包括抛光层，所述抛光层形成有具备外皮的多个微孔并包含无机成分，所述无机成分为Mg，相对于抛光层的总重量，所述Mg的含量为小于90ppm，所述外皮源自可膨胀固体发泡剂，所述可膨胀固体发泡剂的发泡前的粒子直径为9μm至24μm，所述可膨胀固体发泡剂的pH为8以下，针对所述抛光层的微孔，根据下述第2式的值为0.7至0.8，微孔的体积累计直径值即D10、D20、D30、D40、D50、D60、D70、D80、D90以及D100值的标准偏差为4至10，第2式： 所述D10为10％体积累积分布上的微孔直径，所述D20为20％体积累积分布上的微孔直径，所述D30为30％体积累积分布上的微孔直径，所述D40为40％体积累积分布上的微孔直径，所述D50为50％体积累积分布上的微孔直径，所述D60为60％体积累积分布上的微孔直径，所述D70为70％体积累积分布上的微孔直径，所述D80为80％体积累积分布上的微孔直径，所述D90为90％体积累积分布上的微孔直径，所述D100为100％体积累积分布上的微孔直径，所述抛光层满足下述第1式，第1式： 在第1式中，DS为利用化学机械平坦化抛光装置来在对象膜质为氧化硅，抛光荷重为4.0psi，附着有所述抛光垫的平板的旋转速度为150rpm，煅烧的二氧化铈浆料的注入速度为250mlmin，抛光时间为60秒的条件下完成抛光工艺后，产生的缺陷和划痕的数量，RR为在所述抛光工艺中对所述氧化硅的抛光率，所述抛光率的单位为DMg为相对于所述抛光层的总重量的Mg的含量，所述含量的单位为ppm，DS×DMgRR为除单位之外的数值之间的比率。

全文数据：

权利要求：

百度查询： SK恩普士有限公司 抛光垫、抛光垫的制备方法及半导体器件的制造方法

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