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申请/专利权人：苏州晶湛半导体有限公司
申请日：2022-12-09
公开（公告）日：2024-06-11
公开（公告）号：CN118175912A
主分类号：H10N30/01
分类号：H10N30/01;H10N30/07;H10N30/00;H10N30/80;H03H9/02;H03H3/08
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.28#实质审查的生效;2024.06.11#公开
摘要：本申请提供了一种压电模板、SAW器件及其制备方法，本申请在第一衬底上依次生长压电材料层和保护层，将保护层键合至第二衬底上后剥离第一衬底，形成从下至上由第二衬底、保护层、压电材料层构成的压电模板，其中，保护层的晶格常数大于压电材料层的晶格常数。本申请中保护层的设置可以降低压电材料层裂纹发生几率，衬底转移的方法可以进一步释放压电材料层由于和第一衬底晶格失配、热失配产生的应力，避免压电材料层裂纹的发生。
主权项：1.一种压电模板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、提供第一衬底1；S2、在所述第一衬底1上生长压电材料层3；S3、在所述压电材料层3上生长保护层4；S4、将所述保护层4键合至第二衬底5上；S5、剥离所述第一衬底1，形成从下至上由所述第二衬底5、所述保护层4、所述压电材料层3构成的所述压电模板；其中，所述保护层4的晶格常数大于所述压电材料层3的晶格常数。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 苏州晶湛半导体有限公司 一种压电模板、SAW器件及其制备方法
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