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一种集成声流控SAW器件与薄膜晶体管器件的传感器及其制备方法、应用 

申请/专利权人:之江实验室

申请日:2022-07-18

公开(公告)日:2024-05-28

公开(公告)号:CN115332290B

主分类号:H10N39/00

分类号:H10N39/00;H01L21/336;H01L29/786;H10N30/30;H10N30/01;C12M1/00;C12M1/34;G01N15/10

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.05.28#授权;2022.11.29#实质审查的生效;2022.11.11#公开

摘要:本发明公开了一种集成声流控SAW器件与薄膜晶体管器件的传感器及其制备方法、应用,其中声流控器件基于氧化锌薄膜作为压电材料,薄膜晶体管选用氧化锌作为沟道材料。本发明集成了声流控器件的筛选功能与薄膜晶体管的传感功能,能在筛选出特定生物标志物例如细胞的同时检测计数,省去了细胞标记、显微镜计数的步骤。本发明提出的器件制备方式简单,成本低廉,衬底和薄膜均为透明材料,且与传统微电子工艺兼容,适合大规模生产以及医疗上的应用。

主权项:1.一种集成声流控SAW器件与薄膜晶体管器件的传感器,其特征在于,包括:衬底,所述衬底上沉积有压电薄膜层,压电薄膜层的一端沉积有插指电极,在插指电极的表面和其中的一个侧面生长第一绝缘层;在插指电极以外的压电薄膜层上生长第二绝缘层,所述第一绝缘层和第二绝缘层一体成型;在第二绝缘层的表面溅射沉积有栅极,所述栅极和第二绝缘层的上表面设置有由下而上依次布置的栅氧介质层和沟道层;所述沟道层的两端分别沉积有源极和漏极;在源极、漏极的表面和源极、漏极、栅氧介质层、沟道层的侧面生长有第三绝缘层。

全文数据:

权利要求:

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