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申请/专利权人：天地(常州)自动化股份有限公司;中煤科工集团常州研究院有限公司
申请日：2020-09-07
公开（公告）日：2024-06-11
公开（公告）号：CN112162015B
主分类号：G01N27/04
分类号：G01N27/04
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.11#授权;2021.01.19#实质审查的生效;2021.01.01#公开
摘要：本申请揭示了一种抗气体干扰型MEMS气体传感器及制备方法，该方法包括：在氧化层的表面沉积形成一层金属电极层；利用化学气相沉积法，在金属电极层的表面沉积一层绝缘层；在绝缘层表面沉积一层气敏材料层；利用涂布或印刷的方式，在气敏材料层表面沉积一层分离膜，分离膜的纳米通道的孔径小于干扰气体分子的运动直径。本申请通过在制作MEMS气体传感器时，增加了分离膜，该分离膜的纳米通道的孔径小于干扰气体分子的运动直径，从而使得干扰气体分子在分离膜的纳米通道内发生大量碰撞，无法通过分离膜，从而实现对干扰气体的阻隔，避免干扰气体对传感器内敏感材料的影响，提高了热式传感器的准确性，使热式传感器对目标气体选择性较好。
主权项：1.一种抗气体干扰型MEMS气体传感器制备方法，其特征在于，所述方法包括：利用热氧化设备在硅衬底上形成一层氧化层；在所述氧化层的表面沉积形成一层金属电极层；利用化学气相沉积法，在所述金属电极层的表面沉积一层绝缘层；在所述绝缘层表面沉积一层气敏材料层；利用涂布或印刷的方式，在所述气敏材料层表面沉积一层分离膜，所述分离膜的纳米通道的孔径小于干扰气体分子的运动直径；利用涂布或印刷的方式，在所述气敏材料层表面沉积一层分离膜，包括：利用涂布或印刷的方式，在所述气敏材料层表面沉积二维材料层；通过过渡金属离子掺入至所述二维材料层中，以调节二维材料层的孔隙率和层间间距，形成所述分离膜；所述二维材料层为碳纳米管、石墨烯、二硫化钼、氮化硼或过渡金属硫族化合物；所述过渡金属离子为Fe3+、Fe2+、Cu2+、Cr3+、Co2+、Co3+、Ni2+、Pt2+、Pd2+或V2+；所述分离膜厚度为1~20um。
全文数据：
权利要求：
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