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申请/专利权人：深圳大学
申请日：2023-04-11
公开（公告）日：2024-06-11
公开（公告）号：CN116230779B
主分类号：H01L29/861
分类号：H01L29/861;H01L29/20;H01L29/06;H01L29/45;H01L29/47;H01L21/329
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.11#授权;2023.06.23#实质审查的生效;2023.06.06#公开
摘要：本发明提供了一种氮面式GaN二极管，包括由上至下叠加为整体结构的阳极金属层、衬底、n+‑GaN外延层、n‑‑GaN外延层和阴极金属层，所述衬底为非掺杂的GaN单晶，所述n‑‑GaN外延层的Ga面与阴极金属层采用欧姆接触，所述衬底的N面与阳极金属层采用肖特基接触，形成肖特基势垒。本发明所提供的氮面式GaN二极管采用非掺杂的GaN单晶为衬底，采用非掺杂的GaN单晶衬底制成的耐压层可以提高氮面式GaN二极管的耐压强度，提高抗冲击的性能；并对n＋‑GaN外延层与n‑‑GaN外延层的厚度与净载流子浓度的控制，优化结构设计，提高器件的整体耐压性能，衬底的N面与阳极金属层采用肖特基接触来减少漏电；而在Ga面形成欧姆接触减少接触电阻，进一步减少器件的导通电阻。
主权项：1.一种氮面式GaN二极管，其特征在于，包括由上至下叠加为整体结构的阳极金属层、衬底、n+-GaN外延层、n--GaN外延层和阴极金属层，所述衬底为非掺杂的GaN单晶，所述n--GaN外延层的Ga面与阴极金属层采用欧姆接触，所述衬底的N面与阳极金属层采用肖特基接触，形成肖特基势垒。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳大学 一种氮面式GaN二极管及其制备工艺
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