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申请/专利权人：浙江大学
申请日：2024-02-28
公开（公告）日：2024-06-14
公开（公告）号：CN118194803A
主分类号：G06F30/39
分类号：G06F30/39;G06F117/12
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.14#公开
摘要：本发明公开了一种基于栅极粗糙度预测CMOS器件性能的方法。本发明首先根据器件尺寸，确认栅极需要分段量测的点数N。其次在栅极加工完成后，获取栅极的N个关键尺寸数据。在器件加工完成后，量测相同沟道宽度、不同沟道长度的器件，获取滚降曲线。然后对以获取栅极的关键尺寸数据进行偏移预测处理，获得不同的关键尺寸和粗糙度数据。最后根据滚降曲线和偏移预测处理后的数据，计算预测不同关键尺寸和粗糙度的器件性能。本发明无需使用3D‑TCAD计算工具就能预测栅极尺寸对器件性能的影响，缩短器件开发周期，节约软件成本。本发明使用线性拓展法对已有量测数据进行拓展，无需额外晶圆进行加工就可以获得预测的器件性能参数。
主权项：1.一种基于栅极粗糙度预测CMOS器件性能的方法，其特征在于该方法包括以下步骤：步骤1）根据器件尺寸，确认栅极需要分段量测的点数N；步骤2）在栅极加工完成后，获取栅极的N个关键尺寸数据；步骤3）在器件加工完成后，量测相同沟道宽度、不同沟道长度的器件，获取滚降曲线；步骤4）对以获取栅极的关键尺寸数据进行偏移预测处理，获得不同的关键尺寸和粗糙度数据；步骤5）根据步骤3）的滚降曲线和步骤4）偏移预测处理后的数据，计算预测不同关键尺寸和粗糙度的器件性能。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 浙江大学 一种基于栅极粗糙度预测CMOS器件性能的方法
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