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申请/专利权人：苏州华太电子技术股份有限公司
申请日：2024-02-23
公开（公告）日：2024-06-14
公开（公告）号：CN118198144A
主分类号：H01L29/808
分类号：H01L29/808;H01L21/337;H01L29/423;H01L29/06
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.14#公开
摘要：本申请实施例提供了一种横向SiC‑JFET器件，包括：基底；第二掺杂类型的第二外延层；第一掺杂类型的沟道区，位于所述第二外延层内；第二掺杂类型的栅极，位于所述第二外延层内且位于所述沟道区之上，栅极和沟道区形成PN结；栅极绝缘层，所述栅极绝缘层形成在所述栅极之上，且至少覆盖所述栅极；栅极金属，形成在所述栅极绝缘层之上；其中，自上而下设置的栅极金属、栅极绝缘层、栅极、沟道区的设置方式，使得所述栅极和所述沟道区的PN结无法导通。本申请实施例提供了一种横向SiC‑JFET器件及其制备方法，以解决传统横向SiC‑JFET器件的栅极电压受到较大限制的技术问题。
主权项：1.一种横向SiC-JFET器件，其特征在于，包括：基底；第二掺杂类型的第二外延层103；第一掺杂类型的沟道区109，位于所述第二外延层103内；第二掺杂类型的栅极110，位于所述第二外延层内且位于所述沟道区109之上，栅极110和沟道区109形成PN结；栅极绝缘层207，所述栅极绝缘层形成在所述栅极之上，且至少覆盖所述栅极110；栅极金属208，形成在所述栅极绝缘层207之上；其中，自上而下设置的栅极金属208、栅极绝缘层207、栅极110、沟道区109的设置方式，使得所述栅极110和所述沟道区109的PN结无法导通。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 苏州华太电子技术股份有限公司 一种横向SiC-JFET器件
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