申请/专利权人：佛山市国星光电股份有限公司

申请日：2020-07-27

公开（公告）日：2024-06-14

公开（公告）号：CN114005924B

主分类号：H01L33/62

分类号：H01L33/62;H01L33/48;H01L25/075;F21V19/00;F21K9/90;F21K9/00;F21Y115/10

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.06.14#授权;2022.02.22#实质审查的生效;2022.02.01#公开

摘要：本发明提供了一种发光器件，包括支架、发光芯片、键合线和封装层，支架表面上设置有焊盘，发光芯片具有至少一个顶面电极，任一顶面电极基于键合线电性连接至对应的焊盘上，封装层封装发光芯片和键合线，键合线的始端和末端之间依次设置有一个一次拉弧部和若干个二次拉弧部，一次拉弧部为朝远离发光芯片顶面方向凸起的凸起结构，若干个二次拉弧部中的任一个二次拉弧部为朝远离支架方向凸起的凸起结构。该发光器件通过二次拉弧的结构设计，在不提升键合线最高点的高度的条件下，实现键合线大跨度不易塌线的效果。另外，本发明还提供了一种背光灯条、背光模组及发光器件的制作方法。

主权项：1.一种发光器件，包括支架、发光芯片、键合线和封装层，所述支架表面上设置有焊盘，所述发光芯片具有至少一个顶面电极，任一所述顶面电极基于所述键合线电性连接至对应的焊盘上，所述封装层封装所述发光芯片和所述键合线，其特征在于，所述键合线的始端和末端之间依次设置有一个一次拉弧部和若干个二次拉弧部，所述一次拉弧部为朝远离所述发光芯片顶面方向凸起的凸起结构，所述若干个二次拉弧部中的任一个二次拉弧部为朝远离所述支架方向凸起的凸起结构；所述键合线的始端键合在所对应的顶面电极上，所述键合线的末端在经过所述一次拉弧部和所述若干个二次拉弧部过渡后键合在所对应的焊盘上；所述一次拉弧部的最高点与所述发光芯片的顶面之间的距离取值范围为60微米至150微米；所述二次拉弧部的最高点与所述发光芯片的顶面之间的距离取值范围为30微米至150微米；所述键合线的始端至所述一次拉弧部的最高点之间的键合线为第一过渡段；所述一次拉弧部和最接近所述一次拉弧部的二次拉弧部之间的键合线上设置有拐点，所述一次拉弧部的最高点至所述拐点之间的键合线为第二过渡段；所述拐点至最接近所述一次拉弧部的二次拉弧部的最高点之间的键合线为第三过渡段；所述第一过渡段与垂直于所述发光芯片的顶面方向的基准线夹角范围为10°至60°；和或所述第二过渡段与平行于所述发光芯片的顶面方向的基准线夹角范围为0°至70°；和或所述第三过渡段与平行于所述发光芯片的顶面方向的基准线夹角范围为0°至70°；所述拐点的高度高于所述发光芯片顶面；所述键合线自所述键合线的始端至所述拐点在平行于所述发光芯片的顶面的平面上的投影长度范围为200微米至700微米；所述键合线自所述拐点至所述键合线的末端在平行于所述发光芯片的顶面的平面上的投影长度范围为200微米至1200微米。

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权利要求：

百度查询： 佛山市国星光电股份有限公司 发光器件、背光灯条、背光模组及发光器件的制作方法

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