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申请/专利权人：扬州市扬晶电子科技有限公司
摘要：本实用新型涉及半导体制造技术领域，且公开了一种穿通结构的可控硅芯片，包括基区，所述基区的顶部固定连接有第一注入区，所述基区的底部固定连接有第二注入区，所述第一注入区的顶部固定连接有第三注入区，所述基区的外侧固定连接有保护层，所述第一注入区的顶部通过焊层固定连接有门极电极，所述第三注入区的顶部通过焊层固定连接有阴极电极，所述第二注入区的底部通过焊层固定连接有阳极电极，所述保护层和第一注入区的内部设有台面槽，所述保护层的外侧设有划切槽，本实用新型通过设有半球形的台面槽，有利于提高芯片的耐压性，保证其承受的压力能够更大，通过设有门极电极，有利于焊接时的稳定，不会轻易的断开。
主权项：1.一种穿通结构的可控硅芯片，包括基区1，其特征在于：所述基区1的顶部固定连接有第一注入区2，所述基区1的底部固定连接有第二注入区3，所述第一注入区2的顶部固定连接有第三注入区4，所述基区1的外侧固定连接有保护层9，所述第一注入区2的顶部通过焊层6固定连接有门极电极8，所述第三注入区4的顶部通过焊层6固定连接有阴极电极7，所述第二注入区3的底部通过焊层6固定连接有阳极电极5，所述保护层9和第一注入区2的内部设有台面槽10，所述保护层9的外侧设有划切槽11。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 扬州市扬晶电子科技有限公司 一种穿通结构的可控硅芯片
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