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申请/专利权人：深圳市华盈微技术有限公司
申请日：2023-11-21
公开（公告）日：2024-06-14
公开（公告）号：CN221149960U
主分类号：H01L21/67
分类号：H01L21/67
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.14#授权
摘要：本实用新型涉及半导体加工设备领域，具体地涉及一种半导体晶圆加热烘烤设备。半导体晶圆加热烘烤设备，包括炉体和盖子，炉体底部设置承载和加热晶圆的加热盘，所述盖子设置在加热盘的正上方，所述盖子上敷设有隔热层。通过以上设置，有效地降低了盖子表面的温度，从而大大提高了均温水平。经过实际对比测试，改造后的3σ均温参数由100℃下0.4提高到0.15。不仅如此，强隔热还能降低散热量，使烘烤热盘的工作能耗降低30％以上，同时温度控制周期也变短，扰动调节幅度也变小。
主权项：1.一种半导体晶圆加热烘烤设备，其特征在于，所述半导体晶圆加热烘烤设备包括炉体和盖子1；所述炉体底部设置有用于承载和加热晶圆3的加热盘2；所述盖子1设置在所述加热盘2的正上方且所述盖子1上敷设有隔热层1a；所述盖子1的下表面形成为高抛光的反射面1b；或，所述盖子1的下表面设置有高抛光的反射面1b。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳市华盈微技术有限公司 半导体晶圆加热烘烤设备
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