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申请/专利权人：应用材料公司
申请日：2017-06-13
公开（公告）日：2024-06-18
公开（公告）号：CN118213295A
主分类号：H01L21/67
分类号：H01L21/67;G01D5/24
优先权：["20160620 US 15/187,717"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.18#公开
摘要：实施方式包括用于检测颗粒、监测蚀刻或沉积速率、或控制晶片制造处理的操作的装置与方法。在实施方式中，用于颗粒检测的颗粒监测装置包括安装在晶片基板上的数个电容式微传感器，以在所有压力状况下检测颗粒，例如在真空条件下。在实施方式中，一或更多个电容式微传感器被安装在晶片处理工具上，以在晶片制造处理期间实时测量材料沉积与移除速率。亦描述及请求保护其他实施方式。
主权项：1.一种监测装置，包括：基板，所述基板具有支撑表面；传感器，所述传感器安装在所述基板的所述支撑表面上，其中当材料沉积在所述传感器上或从所述传感器移除时，所述传感器的参数改变；及阻隔层，所述阻隔层在所述传感器与所述基板之间，其中所述传感器能通过等离子体剥离并且所述阻隔层不能通过所述等离子体剥离。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 应用材料公司 具有电容式微传感器的晶片处理设备
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