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申请/专利权人：环球晶圆股份有限公司
申请日：2021-07-27
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN113981528B
主分类号：C30B23/02
分类号：C30B23/02;C30B33/00;C30B29/36;H01L21/04
优先权：["20200727 US 63/056,732"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.21#授权;2022.02.18#实质审查的生效;2022.01.28#公开
摘要：本发明提供一种碳化硅晶片的制造方法以及半导体结构，所述碳化硅晶片的制造方法包括：提供包含碳元素以及硅元素的原料以及位于原料上方的晶种于反应器内；减少反应器中的氮气含量，包括：于反应器中通入氩气，其中于反应器中通入氩气的流量为1000sccm至5000sccm，且于反应器中通入氩气的时间大于2小时至48小时；加热反应器以及原料，以形成碳化硅材料于晶种上；冷却反应器以及原料，以获得碳化硅晶碇；以及切割碳化硅晶碇，以获得多个碳化硅晶片。
主权项：1.一种碳化硅晶片的制造方法，其特征在于，包括：提供包含碳元素以及硅元素的原料以及位于所述原料上方的晶种于反应器内；减少所述反应器中的氮气含量，包括：对所述反应器执行第一真空工艺，使所述反应器内的气压为0.1torr至100torr；在所述第一真空工艺之后，于所述反应器中通入氩气，其中于所述反应器中通入氩气的流量为1000sccm至5000sccm，且于所述反应器中通入氩气的时间为2小时至48小时；以及于所述反应器中通入氩气以后，对所述反应器执行第二真空工艺，使所述反应器内的气压小于5×10-5torr；在小于5×10-5torr的气压下，加热所述反应器以及所述原料，以形成碳化硅材料于所述晶种上；冷却所述反应器以及所述原料，以获得碳化硅晶碇；以及切割所述碳化硅晶碇，以获得多个碳化硅晶片，所述碳化硅晶碇的电阻率为0.1至10ohmcm，且所述碳化硅晶片的电阻率为0.1至10ohmcm，所述碳化硅晶片的对于可见光的穿透率大于50%。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 环球晶圆股份有限公司 碳化硅晶片的制造方法以及半导体结构
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