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申请/专利权人：张江国家实验室
申请日：2022-12-09
公开（公告）日：2024-06-18
公开（公告）号：CN118213321A
主分类号：H01L21/768
分类号：H01L21/768;H01L21/67;H01L21/033;H10B12/00;H10B43/30;H10B43/20
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.18#公开
摘要：本发明涉及一种用于在半导体结构中形成功能性孔的方法及系统。该方法包括以下步骤：提供半导体结构；利用第一图案化工艺在所述半导体结构上形成第一图案；利用第二图案化工艺在所述半导体结构上形成第二图案；基于第一图案和第二图案对暴露的半导体结构进行刻蚀，以在所述半导体结构中形成多个通孔；以及在至少一个通孔中填充材料以形成所述功能性孔。
主权项：1.一种用于在半导体结构中形成功能性孔的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：提供半导体结构，所述半导体结构包括衬底和位于所述衬底上的材料层；利用基于双层光刻胶的第一图案化工艺在所述半导体结构上形成第一掩膜层，所述第一掩膜层具有第一图案；利用基于双层光刻胶的第二图案化工艺在所述半导体结构上形成第二掩膜层，所述第二掩膜层具有第二图案，其中所述第一掩膜层和所述第二掩膜层交叠以限定所述半导体结构的多个独立的暴露区域；将所述第一掩膜层和所述第二掩膜层作为抗刻蚀掩膜对暴露的半导体结构进行刻蚀，以在所述半导体结构中形成多个通孔；以及在至少一个通孔中填充材料以形成所述功能性孔。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 张江国家实验室 用于在半导体结构中形成功能性孔的方法和系统
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