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申请/专利权人：东莞新科技术研究开发有限公司
申请日：2022-12-23
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN118241160A
主分类号：C23C14/08
分类号：C23C14/08;C23C14/10;C23C16/40;C23C16/455;C23C14/30;C23C14/35;B82Y30/00;B82Y40/00;G06F1/20
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.25#公开
摘要：本发明的CPU镀层的形成方法，包括：封装CPU并将所述CPU的待处理表面暴露；清洗所述待处理表面；以及在具有负压的真空腔室内对所述待处理表面进行镀膜形成镀层，所述镀层为SiO2、TiO2、Al2O3中的一种或多种。本发明在CPU的预定表面上形成具有散热性能的镀膜，从而防止CPU在运行时过热而影响工作性能。
主权项：1.一种CPU镀层的形成方法，其特征在于，包括：封装CPU并将所述CPU的待处理表面暴露；清洗所述待处理表面；以及在具有负压的真空腔室内对所述待处理表面进行镀膜形成镀层，所述镀层为SiO2、TiO2、Al2O3中的一种或多种。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 东莞新科技术研究开发有限公司 CPU镀层的形成方法
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