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申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(深圳)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日：2020-05-15
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN113675091B
主分类号：H01L21/336
分类号：H01L21/336;H01L29/78
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.25#授权;2021.12.07#实质审查的生效;2021.11.19#公开
摘要：本发明提供一种半导体器件及其形成方法，其中方法包括：形成初始化结构，并在伪栅极、初始栅氧化层和半导体衬底的夹角处形成拐角；移除鳍部的侧壁上的拐角在鳍部的投影区域以外的初始栅氧化层，以及移除鳍部的侧壁上的拐角在鳍部的投影区域内的部分初始栅氧化层，以形成初始栅氧化层余留部，且在拐角与鳍部之间形成凹陷区；在伪栅极和鳍部的侧壁上、以及拐角的侧壁上形成侧墙；在侧墙周侧的半导体衬底上形成介质层，及在鳍部的顶部形成外延层；移除伪栅极、拐角以及初始栅氧化层余留部形成栅极沟槽；在栅极沟槽内沉积栅极材料以形成栅极结构。上述方法形成的栅极沟槽的尺寸更小，避免了因栅极沟槽尺寸增大使得栅极结构尺寸增大的问题。
主权项：1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成鳍部，在所述鳍部的侧壁上形成初始栅氧化层；形成覆盖所述初始栅氧化层、所述鳍部以及所述半导体衬底的伪栅材料层；刻蚀所述伪栅材料层以形成横跨所述鳍部的伪栅极，以及在所述伪栅极、所述初始栅氧化层与所述半导体衬底的夹角处形成有拐角；移除所述鳍部的侧壁上的所述拐角在所述鳍部的投影区域以外的所述初始栅氧化层，以及移除所述鳍部的侧壁上的所述拐角在所述鳍部的投影区域内的部分所述初始栅氧化层，以形成初始栅氧化层余留部，且在所述拐角与所述鳍部之间形成凹陷区；在所述伪栅极和所述鳍部的侧壁上、以及所述拐角的侧壁上形成侧墙；且形成于所述鳍部的侧壁上的所述侧墙延伸至所述凹陷区内；在所述侧墙周侧的所述半导体衬底上形成介质层，及在所述鳍部的顶部形成外延层；移除所述伪栅极、所述拐角以及所述初始栅氧化层余留部形成栅极沟槽；在所述栅极沟槽内沉积栅极材料以形成栅极结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中芯国际集成电路制造(深圳)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 半导体器件及其形成方法
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