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申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司
申请日：2024-03-05
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN118248545A
主分类号：H01L21/311
分类号：H01L21/311;H01L21/762
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.25#公开
摘要：本申请公开了一种STI结构的形成方法，包括：提供一衬底，衬底上形成有衬垫氧化层，衬垫氧化层上形成有硬掩模层，硬掩模层上形成有BARC层；通过光刻工艺进行刻蚀，在BARC层、硬掩模层和衬垫氧化层中形成第一沟槽；去除BARC层；对第一沟槽进行刻蚀，刻蚀至衬底中的预定深度，形成第二沟槽；通过包含四氟化碳和氧气的反应气体进行刻蚀，对第二沟槽中的反应副产物进行去除处理；在第二沟槽中填充绝缘层。本申请通过在STI结构的形成过程中，在形成STI结构对应的沟槽后，通过包含四氟化碳和氧气的反应气体进行刻蚀，对沟槽中的反应副产物进行去除处理，从而解决了由于反应副产物的存在导致STI结构形貌较差的问题，在一定程度上提高了产品的可靠性和良率。
主权项：1.一种STI结构的形成方法，其特征在于，包括：提供一衬底，所述衬底上形成有衬垫氧化层，所述衬垫氧化层上形成有硬掩模层，所述硬掩模层上形成有BARC层；通过光刻工艺进行刻蚀，在所述BARC层、所述硬掩模层和所述衬垫氧化层中形成第一沟槽；去除BARC层；对所述第一沟槽进行刻蚀，刻蚀至所述衬底中的预定深度，形成第二沟槽；通过包含四氟化碳和氧气的反应气体进行刻蚀，对所述第二沟槽中的反应副产物进行去除处理；在所述第二沟槽中填充绝缘层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司 STI结构的形成方法
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