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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日：2021-01-05
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN113517280B
主分类号：H01L27/092
分类号：H01L27/092;H01L21/8238
优先权：["20200625 US 63/044,129","20201106 US 17/091,159"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.25#授权;2021.11.05#实质审查的生效;2021.10.19#公开
摘要：器件包括：包含第一晶体管和第二晶体管的器件层；在器件层的前侧上的第一互连结构；以及在器件层的背侧上的第二互连结构。该第二互连结构包括：在器件层的背侧上的第一介电层，其中半导体材料设置在第一介电层和第一晶体管的第一源极漏极区之间；延伸穿过第一介电层至第二晶体管的第二源极漏极区的接触件；以及通过接触件电连接到第二晶体管的第二源极漏极区的第一导电线。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
主权项：1.一种半导体器件，包括：器件层，包括第一晶体管和第二晶体管；第一互连结构，位于所述器件层前侧上；以及第二互连结构，位于所述器件层的背侧上，所述第二互连结构包括：第一介电层，位于所述器件层的背侧上，其中半导体材料设置在所述第一介电层和所述第一晶体管的第一源极漏极区之间；金属接触件，延伸穿过所述第一介电层至所述第二晶体管的第二源极漏极区，所述半导体材料接触位于所述第二源极漏极区和所述第一源极漏极区之间的栅极堆叠件；以及第一导电线，通过所述金属接触件电连接到所述第二晶体管的所述第二源极漏极区。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 半导体器件及其形成方法
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