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申请/专利权人：浙江创芯集成电路有限公司
申请日：2024-05-29
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN118248628A
主分类号：H01L21/768
分类号：H01L21/768;H01L21/311;H01L21/3105;H01L21/321
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.25#公开
摘要：一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底；在所述衬底表面形成介质结构，所述介质结构包括介质层；在所述介质结构内形成开口；在所述开口内和所述介质结构表面形成金属材料层；采用第一机械化学研磨工艺平坦化所述金属材料层，直到暴露出所述介质结构表面，以所述金属材料层形成初始导电结构，所述初始导电结构表面具有蝶形缺陷，所述蝶形缺陷使所述初始导电结构表面中心相对边缘凹陷；采用刻蚀工艺刻蚀所述介质结构表面，使所述初始导电结构表面边缘凸出于所述介质结构表面；在所述刻蚀工艺之后，采用第二机械化学研磨工艺平坦化所述初始导电结构和所述介质结构，以所述初始导电结构形成导电结构，利于提高形成的导电结构的表面平整度，减少因蝶形缺陷而导致电路失效的异常概率，提高产品良率。
主权项：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底表面形成介质结构，所述介质结构包括介质层；在所述介质结构内形成开口；在所述开口内和所述介质结构表面形成金属材料层；采用第一机械化学研磨工艺平坦化所述金属材料层，直到暴露出所述介质结构表面，以所述金属材料层形成初始导电结构，所述初始导电结构表面具有蝶形缺陷，所述蝶形缺陷使所述初始导电结构表面中心相对边缘凹陷；采用刻蚀工艺刻蚀所述介质结构表面，使所述初始导电结构表面边缘凸出于所述介质结构表面；在所述刻蚀工艺之后，采用第二机械化学研磨工艺平坦化所述初始导电结构和所述介质结构，以所述初始导电结构形成导电结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 浙江创芯集成电路有限公司 半导体结构的形成方法
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