申请/专利权人:南京大学
申请日:2024-03-29
公开(公告)日:2024-06-18
公开(公告)号:CN118213854A
主分类号:H01S5/12
分类号:H01S5/12;H01S5/125;H01S5/0625;H01S5/065;H01S5/10
优先权:
专利状态码:在审-公开
法律状态:2024.06.18#公开
摘要:本发明提供一种用于NG‑PON2突发模式的三段式半导体激光器,由DFB区和两个反射区组成,三者共用一个光栅反馈层;光栅整体采用线性渐变啁啾结构,并在DFB区中间引入π相移。本发明还给出了三段式半导体激光器的制作及应用方法,工作时,DFB区注入正常工作电流,反射区注入小电流,反射区提供反馈以维持DFB的正常激射,反射区中小电流对芯片的热效应贡献较小,但是其提供的反馈可以维持正常的激射;当反射区中不注入电流时,DFB区因缺乏反馈不能实现激射。本发明通过控制反馈区中小电流从而实现大消光比的突发模式,且突发模式实现的过程中,DFB有源区结温几乎无变化,因此没有发生波长漂移。本发明为NG‑PON2中突发模式激光器的实现提供了解决方案。
主权项:1.一种用于NG-PON2突发模式的三段式半导体激光器,其特征在于,所述三段式半导体激光器由三段组成,分别为DFB区以及分布在DFB区前后的两个反射区;所述DFB区和两个反射区共用一个光栅层。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 南京大学 一种用于NG-PON2突发模式的三段式半导体激光器及其制作和应用方法
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