申请/专利权人：大连理工大学

申请日：2024-04-28

公开（公告）日：2024-06-18

公开（公告）号：CN118204899A

主分类号：B24B37/04

分类号：B24B37/04;B24B37/10

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.06.18#公开

摘要：本发明公开了一种尖晶石晶体超光滑抛光方法，优选了各工艺阶段的加工环境与参数，并依次配置了两个抛光阶段的环保抛光液，可以快速地将晶体表面粗糙度收敛至亚纳米级，且表面无损伤缺陷，整个过程操作方便、容易。本发明以“研磨‑半精抛‑精抛”的工艺流程来实现，整个加工过程在1h以内，加工效率高，也避免了因去除粗研、粗抛等过程引入的过度损伤而消耗大量工时，操作方便，节省原料。本发明通过优选固结磨料研磨垫，并调节适宜工艺参数，可快速去除晶体表面前序工序所遗留的崩裂、刀纹等缺陷，并实现晶片的快速平坦化与减薄。本发明提出的尖晶石晶体精抛光工艺及相应的精抛抛光液，可以进一步提升尖晶石晶体的表面质量。

主权项：1.一种尖晶石晶体超光滑抛光方法，其特征在于：包括以下步骤：A、研磨将尖晶石晶片通过真空吸附垫均匀固定在圆形载盘上，将研磨垫固定于研抛机工作台上，然后将附有工件的载盘置于研磨垫上，通过蠕动泵均匀地滴加研磨液，进行研磨；研磨时间为10-15min，研磨压力设定为10-20kPa，研磨盘转速为40-60rpm；B、配制半精抛抛光液所述半精抛抛光液按溶质总质量分数100％计，各组分和质量百分比含量如下：7％～25％硅溶胶，4％～8％的氧化锆磨粒，1％～2％的氧化铝磨料，0.1％～0.5％的表面活性剂，pH调节剂，其余为去离子水，通过超声将抛光液混合均匀；C、半精抛选用磨砂革抛光垫，采用半精抛抛光液，对步骤A研磨后的晶体进行抛光，抛光时间为20-30min，抛光压力设定为25-50kPa，抛光盘转速为60-100rpm；D、半精抛后，若尖晶石表面晶界不明显，且表面粗糙度Sa2nm，转步骤E，否则，转步骤C；E、配制精抛抛光液所述精抛抛光液按溶质总质量分数100％计，组分和质量百分比含量如下：10％～20％硅溶胶，0.5％～1％的添加剂，0.1％～0.5％的表面活性剂，适量的pH调节剂，其余为去离子水，通过超声将抛光液混合均匀；F、精抛选用IC1000SUBAⅣ复合聚氨酯抛光垫，采用精抛抛光液，对步骤C半精抛后的晶体进行抛光，抛光时间为10-20min，抛光压力设定为25-50kPa，抛光盘转速为60-100rpm；G、精抛后，若表面粗糙度Sa1nm，且表面无划痕、麻点缺陷，转步骤H，否则，转步骤F；H、清洗将加工完成的晶体浸入石油醚清洗液，超声振荡清洗3-10min，清洗后用无尘布轻轻擦拭晶体表面，随后用氮气气流缓缓吹干，清洗完成。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 大连理工大学 一种尖晶石晶体超光滑抛光方法

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