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申请/专利权人：应用材料公司
摘要：本公开的实施例总体上涉及用于在等离子体处理期间对在等离子体处理腔室中的基板上形成的电位进行实时测量和控制的装置和方法。本公开的实施例包括一种等离子体处理系统，所述等离子体处理系统包括基板支撑件，所述基板支撑件设置在等离子体处理系统的处理体积内，所述基板支撑件包括基板支撑表面和设置在第一电极与基板支撑表面之间的介电层。所述等离子体处理系统进一步包括第一产生器，所述第一产生器耦接至所述等离子体处理系统的第二电极；以及传感器，所述传感器被设置为距基板支撑表面第一距离。第一产生器被配置为在处理体积内产生等离子体。所述第一电极设置成距所述基板支撑表面达第二距离，并且所述第一距离小于所述第二距离。所述传感器通常被配置为检测在等离子体处理期间在基板上形成的电场强度和或电压。
主权项：1.一种等离子体处理系统，包括：基板支撑件，设置在所述等离子体处理系统的处理体积内，所述基板支撑件包括：基板支撑表面；以及介电层，设置在第一电极与所述基板支撑表面之间；以及至少一个传感器，被设置成距所述基板支撑表面第一距离，其中所述第一电极被设置成距所述基板支撑表面第二距离；所述第一距离和所述第二距离是在第一方向上测量的；所述第一距离小于所述第二距离；并且所述传感器被配置为检测电场强度或电压。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 应用材料公司 用于在等离子体处理腔室中进行实时晶片电位测量的方法和装置
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