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申请/专利权人：深圳芯能半导体技术有限公司
申请日：2023-07-27
公开（公告）日：2024-06-18
公开（公告）号：CN116646383B
主分类号：H01L29/06
分类号：H01L29/06;H01L29/739;H01L21/331
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.18#授权;2023.09.12#实质审查的生效;2023.08.25#公开
摘要：本发明提供了一种具高短路承受力的沟槽栅IGBT芯片及其制作方法，该沟槽栅IGBT芯片包括：元胞区和终端区，所述元胞区包括P型硅区，元胞区的P型硅区包括Pwell区和DummyP区，DummyP区为半浮空设计，且在DummyP区的两端各打一个或者一组接触孔，在DummyP区底部设置若干组非连续的高浓度P+区。本发明提出的半浮空的DummyP区元胞设计，在导通状态下，大部分的DummyP区都可以认为是近似浮空的状态，能够起到与全浮空DummyP区几乎相同的提升器件正面载流子浓度的效果，同时在短路状态下，DummyP区又可以认为是接地的电位，DummyP区底部的非连续高浓度P+区会参与PN结的耗尽，可以大幅减小沟道部分的Pwell区耗尽深度，提升器件的短路承受能力。
主权项：1.一种具高短路承受力的沟槽栅IGBT芯片，其特征在于，包括元胞区和终端区，所述元胞区包括单晶硅衬底、氧化层、P型硅区、多晶硅栅区、N型硅区、隔离介质层、正面金属层、钝化层以及反面金属层；其中，所述元胞区的P型硅区包括Pwell区和DummyP区，所述DummyP区为半浮空设计且为宽度较窄的长条形设计，且沿长度方向具有方块电阻，且在俯视图下的DummyP区沿长度方向的两端各打一个或者一组接触孔，在DummyP区底部沿长度方向设置若干组非连续的高浓度P+区。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳芯能半导体技术有限公司 一种具高短路承受力的沟槽栅IGBT芯片及其制作方法
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