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一种用于IGBT器件的缺陷状态评估方法及装置 

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申请/专利权人:华北电力科学研究院有限责任公司;国家电网有限公司

摘要:本公开提供了一种用于IGBT器件的缺陷状态评估方法及装置,涉及IGBT运行状态监控技术领域,响应于IGBT器件关断,确定所述IGBT器件在预设时间段内的实际集电极电流最大值;根据所述IGBT器件的实际集电极电流最大值和预先确定的所述IGBT器件的理论集电极电流最大值,确定所述IGBT器件的通流能力系数;根据所述通流能力系数,评估所述IGBT器件的缺陷状态。本申请能够通过观测IGBT器件集电极电流幅值ICM估计IGBT芯片键合线脱落或电极接触异常等缺陷状态,对于IGBT缺陷状态监测及分析具有指导意义。

主权项:1.一种用于IGBT器件的缺陷状态评估方法,其特征在于,包括:响应于IGBT器件关断,确定所述IGBT器件在预设时间段内的实际集电极电流最大值;根据所述IGBT器件的实际集电极电流最大值和预先确定的所述IGBT器件的理论集电极电流最大值,确定所述IGBT器件的通流能力系数;根据所述通流能力系数,评估所述IGBT器件的缺陷状态。

全文数据:

权利要求:

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