龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日：2021-06-30
公开（公告）日：2024-06-18
公开（公告）号：CN113632169B
主分类号：G11C16/04
分类号：G11C16/04;H10B41/41;H10B41/20;H10B43/40;H10B43/20
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.18#授权;2021.11.26#实质审查的生效;2021.11.09#公开
摘要：在某些方面中，一种存储器装置包括存储器单元的阵列以及耦接至所述存储器单元的阵列的多个外围电路。所述外围电路包括具有凹陷栅极晶体管的第一外围电路。所述外围电路还包括具有平坦栅极晶体管的第二外围电路。
主权项：1.一种三维3D存储器装置，包括：包括NAND存储器串的阵列的第一半导体结构；包括页缓冲器的第二半导体结构，其中，所述页缓冲器包括凹陷栅极晶体管；以及位于所述第一半导体结构和所述第二半导体结构之间的键合界面，其中，所述NAND存储器串的阵列横跨所述键合界面耦接至所述页缓冲器，其中，所述第二半导体结构包括一个叠一个地堆叠设置的第一器件层和第二器件层；所述第一器件层包括所述凹陷栅极晶体管；并且所述第二器件层包括平坦栅极晶体管。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长江存储科技有限责任公司 具有凹陷栅极晶体管的外围电路及其形成方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号