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申请/专利权人：TDK电子股份有限公司
申请日：2021-01-21
公开（公告）日：2024-06-18
公开（公告）号：CN114286929B
主分类号：G01L7/08
分类号：G01L7/08;G01L9/06
优先权：["20200227 DE 102020105210.3"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.18#授权;2022.04.22#实质审查的生效;2022.04.05#公开
摘要：在至少一个实施俯视中，传感器包括具有用于在通过介质施加压力时变形的膜（10）的变形体（1）以及施加到所述膜（10）上并且固定在所述膜（10）上的膨胀元件（2）。所述膨胀元件（2）基于SOI技术并且具有多个压阻电阻器（20）。
主权项：1.一种传感器，包括-变形体1，具有用于在通过介质施加压力时变形的膜10，-施加到所述膜10上并且固定在所述膜10上的膨胀元件2，其中-所述膨胀元件2基于SOI技术并且具有多个压阻电阻器20，其中所述压阻电阻器20分别包括至少三侧空间暴露的Si纳米线，其中空间暴露意味着所述Si纳米线在其部分长度上没有得到支撑而是底部掏空的。
全文数据：
权利要求：
百度查询： TDK电子股份有限公司 传感器和制造传感器的方法
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